日媒述评：日本半导体产业只剩下“最后机会”

参考消息网8月18日报道 《日本经济新闻》网站8月12日发表题为《日本重振半导体的战略》的文章，作者是中山淳史。作者认为，日本和美国联合研发电路线宽2纳米的最先进半导体，是日本挽回在半导体方面劣势的“最后机会”。全文摘编如下：

日本和美国在前些日子的外交和经济部长参加的日美“经济版2+2”会谈中，针对联合研发任何企业都未量产的电路线宽2纳米的最先进半导体达成协议。根据发布的消息，美国国立研究机构和日本的大学计划在日本国内成立联盟，但除此以外浮出水面的是在半导体微细化研究方面走在世界最前列的IBM和英特尔的参与。

两家企业或其中一家有可能提供技术平台，与日本的制造设备和原材料厂商合作开发在日本用于数据中心和自动驾驶等的高性能芯片的量产技术。汽车和通信企业也被认为将参与其中。

有报道称，时任日本经济产业相萩生田光一今年5月考察了纽约州的IBM的研究所，日本方面感兴趣的是该公司主导的联盟拥有的“FinFET工艺”和“全环绕栅极”（gate-all-around，简称GAA）等技术，尤其是后者，这是决定半导体处理能力（晶体管的集成数）在一年半到两年里翻番这一“摩尔定律”今后能否继续维持的重要技术。韩国的三星电子最近利用这项技术，在3纳米芯片（2纳米的上一代）的量产化方面取得了进展。

日本半导体产业曾位居世界第一，但微细化的水平目前停留在40纳米左右，停在了3纳米的6-7代之前，按时间来说则是10多年之前。

背后原因是在20世纪80年代以后的日美贸易摩擦中，日本被迫接受了不利的竞争条件。与此同时，日元升值导致日本电子产品失去竞争力，这也产生巨大影响。那么为何如今“日美联手推进最尖端技术开发”呢？这是因为时代的需求已发生巨大改变。

提到采用最尖端产品的硬件，目前是智能手机和数据中心。不过到10-15年以后，随着自动驾驶汽车和远程医疗等普及，数据中心和基站都将需要比目前具备更高的性能。美国已开始考虑将重心转向日本加强合作。

日本的政府和高科技产业认为要挽回劣势，此次日美合作是最后机会。如果继续在尖端产品开发方面掉队，目前处于最前沿的日本制造设备和原材料厂商也将在中长期失去竞争力，在包括汽车和基础设施在内的数字产业发展方面，也难以打开局面。

日本正在吸引台积电进驻熊本县，台积电相对于IBM与英特尔，合作的意义有所不同。台积电携手索尼集团等建设的是采用5代之前技术（22-28纳米）的工厂。

但是，日本吸引台积电进驻的意义重大。按支撑摩尔定律的微细化技术来说，日本只能制造传统的“Planar FET”这一晶体管阵列结构最为简单的芯片。如果按人类的成长阶段来说，Planar FET相当于初中生，而FinFET则是高中生。3纳米或2纳米以后将转向开头提及的名为“全环绕栅极”技术的另一种结构，但难度进一步提高，与FinFET也存在类似于高中和大学的差距。仍未完成高中课程的日本要掌握全环绕栅极技术，按常理来说也许存在困难。

此次的日美合作有可能在两个意义上成为重要转折点。其一是改善日本在数字服务领域的国际收支。日本在云服务领域严重依赖美国亚马逊等，如果这个领域的逆差持续下去的话，被认为很有可能从2021年的1.4万亿日元增至2030年的10万亿日元以上。这是与能源进口领域的国家财富外流类似的局面。日本想要改善收支，或许需要追溯至尖端半导体，考虑在日本国内构建适应自动驾驶时代等的数字基础设施。

另一个是产业本身的重塑。以前笔者曾在文章中指出“亚马逊在过去20多年里以年率28%的复利扩大营业收入，增长轨道呈现指数函数曲线”。包括该公司在内，美国大型IT企业“GAFA”（谷歌、苹果、脸书和亚马逊的首字母组合）的增长轨迹归根结底是在经营战略的方方面面受益于摩尔定律带来的计算机指数级性能提高的结果。

如果要在自动驾驶、新一代通信标准“6G”和元宇宙领域赢得竞争，日本也需要重新推进半导体开发，发展尖端技术。能否重回摩尔定律的最前沿，应该会明显影响日本今后30年的增长潜力。